Статистика |
Сейчас на сайте: 6 Прохожих: 6 Зарегистрированных: 0
|
|
Главная » 2011 » Апрель » 04
Приводятся основные условные графические обозначения, используемые при выполнении структурных и принципиальных электрических схем в соответствии с требованиями ГОСТ, а также краткие сведения об особенностях их использования. Для студентов старших курсов факультета электронной техники специальности «Электронные приборы и устройства» и других специальностей п...
|
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, ...
|
Помещены сведения об электрических параметрах, предельно допустимых режимах и корпусном исполнении кремниевых биполярных транзисторов, выпускаемых в СССР и ведущими зарубежными фирмами. Описывается более 8000 транзисторов. Для широкого круга радиолюбителей и специалистов, занимающихся разработкой, изготовлением биполярных транзисторов и различной радиоэлект...
|
|
|
|
Личный кабинет |
Привет: Гость
Авторизируйтесь, если Вы зарегистрированы!
|
|